FeRAM（Ferro electric RAM）：鐵電記憶體
具有低讀寫電壓、較快的讀寫速度（＜＜100 ns）及較少的製程步驟等特點，
可以取代目前最常用的 EEPROMs（Electrical Erasable Programable Read Only Memories）
參考網址：http://www.moneydj.com/z/glossary/glexp_5003.asp.htm
具有低讀寫電壓、較快的讀寫速度（＜＜100 ns）及較少的製程步驟等特點，
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